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在工程设计中,衬底偏置效应对阈值电压的影响可用下面的近似公式计算: 为衬底偏置效应系数,它随衬底掺杂浓度而变化,典型值:NMO...
标签:mos 衬底 效应 在 工程设计 中 偏置 效
20 2024-03
体效应是因为衬底电压比源极电压更低之后导致沟道处的耗尽区宽度更宽从而导致阈值电压更高。如果说衬底的电压和源极的电压相同,那...
标签:pmos 有 体偏 置吗 体 效应 是因为 衬底 电压
03 2024-03
就是制造芯片的前奏,简单来说就是在衬底的基础上生长出外延片,利用外延片制造芯片,然後用芯片进行封装. LED芯片通过外延技术将一...
标签:led 衬底 重要性 主流 及其 优缺点 就是 制造
23 2023-11
LED芯片是通过外延技术将一层层材料变成气态沉积在一个基底上,这个基底选用蓝宝石,原因蓝宝石衬底技术成熟,机械强度高,器件稳定...
标签:LED 中的 蓝宝石 衬底 起 什么 作用 在
06 2023-11
磷化铟半导体材料具有宽禁带结构,并且电子在通过InP 材料时速度快,这意味着用这种材料制作的器件能够放大更高频率或更短波长的信号...
标签:磷化 铟 衬底 是什么 意思 铟基 板
01 2023-11