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基本参数: 类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET-单 系列:HEXFET? FET型:MOSFETN通道,金属氧化物 FET特点:逻辑电平门 开态Rds(最大...
标签:irfp4368 场 效应 管 参数 基本 类别 分离
25 2024-04
当在感应线圈上施加高频电场后,部分空气电离产生的带电粒子做高速运动,二次碰撞气体原子,形成雪崩电离,并在垂直于磁场方向的截...
标签:趋肤 效应 计算 公式 当 在 感应 线 圈上
irfp9250场效应管参数 场效应管系列参数(1)|型号|沟道类型|耐压(V)V|电流( I ) A|功率(PD/P沟)W|内阻(Rds)|脚位| IRF530*|N|100V|14A|...
标签:IFR9250 场 效应 管 参数 irfp9250
24 2024-04
离子刻蚀和离子注入工艺产生游离电荷,芯片中的金属线或多晶硅等导体,就像是一根天线,收集游离电荷,天线越长电荷收集的越多,当...
标签:PCB 板 上 的 天线 效应 如何 处理 离子 刻蚀
不是所有的电流都只沿表面流动! 真流电流与工频交流电都是在整个导线的截面上流动的。也就是整根导线都参与导流。 当电源的频率升高...
标签:电荷 的 集肤 效应 不是 所 有的 电流 都 只