为什么MOS管栅的SiO2层上要形成多晶硅而不是直接覆盖金属?
为什么MOS管栅的SiO2层上要形成多晶硅而不是直接覆盖金属?

最早的CMOS的栅极二氧化硅上覆盖的是金属,栅极先做S/D,S/D退火后才能做栅极(因为Gate是金属,不能承受高温),栅极和互连的金属线是一...

标签:为什么 MOS 管栅 SiO2 形成 多晶硅

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27 2024-04

<b>mos管栅源极阈值电压什么意思?</b>
mos管栅源极阈值电压什么意思?

MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关,例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V,200V以上的一般为3-5V。\nMOS管,当...

标签:mos 管栅 源极 阈值 电压 什么 意思

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03 2024-03