MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。\nMOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器 件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一 。MOS管的阈值电压等于背栅和源极接在一起时形成沟道需要的栅极对source偏置电压。如果栅极对源极偏置电压小于阈值电压，就没有沟道。\n阈值电压通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压.在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。\n\n\n\n

　　所谓MOS器件的阀值电压，是指器件的漏源刚好导通时的栅电压。这实际上要满足Si表面达到强反型条件，即表面势?。MOS阈值电压。那么究竟要加多大的栅电压才能满足强反型条件呢？如果源极接地，这里的栅电压就是指栅源电压VGS。

　　由前面的分析知道，一个实际的MOS器件要达到强反型，首先要建立平带条件。必须在栅极上加一个电压，以抵消由于功函数差及有效表面电荷对能带的影响，使能带变平。这个平带电压，