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01 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为 N 沟道与 P 沟道两大类, P 沟道硅 MOS 场效应晶体管在 N 型硅衬底上有两个 P+区,分别叫做源极...
标签:沟道 结型 场 效应 管 工作 原理 金属 氧化物
10 2024-04
mos(金属氧化物半导体)晶体管的击穿电压(breakdownvoltage)是指在栅极接地的情况下,流过漏源极电流为一个特定值时的漏源电压,其是mos晶体管...
标签:mos 管 怎么 提高 击穿 电压 金属 氧化物
04 2024-04
因为避雷器持续运行电压下的电流包含阻性和容性电流,两者之和称之为全电流...
标签:为什么 金属 氧化物 避雷器 持续 运行 电
17 2024-03
金属氧化物半导体场效应晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。 P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极...
标签:pmos 驱动 电路 金属 氧化物 半导体 场 效应
16 2024-03
mos管是金属(metal)氧化物(oxide)半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的source和drain是可以对...
标签:mos 管 是什么 意思 是 金属 metal 氧化物
09 2023-12