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极限电压Vm:120 极限电流Im:1.5 耗散功率P:28 导通电阻Rds:1.3 开关时间:90/370...
标签:6120 管 参数 极限 电压 120 电流 1.5 耗散 功率
16 2024-04
PD最大耗散功率:41W ID最大漏源电流:5.5A V(BR)DSS漏源击穿电压:400V RDS(ON)内阻:1 VRDS(ON)ld通态电流:3A VRDS(ON)栅极电压:10V VGS(th)V开启电压:...
标签:irf730 场 效应 管 参数 最大 耗散 功率 41W
07 2024-03
PD最大耗散功率:34.7WID最大漏源电流:22AV(BR)DSS漏源击穿电压:60VRDS(ON)内阻:0.036VRDS(ON)ld通态电流:18AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th) V开启电压:...
标签:9971 芯片 参数 9959 最大 耗散 功率 34.7WID 漏源
23 2023-11
PD最大耗散功率:31W ID最大漏源电流:-20A V(BR)DSS漏源击穿电压:-30V RDS(ON)内阻:0.05 VRDS(ON)ld通态电流:-10A VRDS(ON)栅极电压:-10V VGS(th)V开启电...
标签:9435 芯片 参数 典型 电路 最大 耗散 功率 31W
01 2023-11
30 2023-10