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多晶硅栅极的掺杂通常采用N型掺杂离子,例如磷离子。然而,对于PMOS晶体管,其多晶硅栅极亦采用N型掺杂离子掺杂会造成PMOS晶体管栅极的...
标签:pmos 多晶硅 栅 采用 什么 掺杂 栅极
21 2024-04
igbt是绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入...
标签:igbt 名称 是 绝缘 栅 双极型 晶体管 是由
17 2024-04
中文名 绝缘栅双极型晶体管 外文名 Insulated Gate Bipolar Transistor 简称 IGBT 特点 高耐压、导通压降低、开关速度快 IGBT是能源变换与传输的核心...
标签:IGBT 全名 中文 名称 中文名 绝缘 栅 双极型
18 2023-12
IGBT(绝缘栅双极晶体管 Insulated-gate bipolar transistor ),这款芯片在电动汽车上运用极为广泛。 IGBT 是用于电动车、铁路机车、动车组的交流...
标签:igbt 流片 是什么 概念 管 绝缘 栅 双极
15 2023-12
26 2023-11