为什么漏极电流随栅源电压变化？

答：栅极电压决定了导电沟道的宽窄...

标签：为什么 漏极 电流 随栅 源 电压 变化 答 栅极

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igbt栅极电压范围？

15V-20V之间。IGBT导通后的管压降与所加栅源电压有关，在漏源电流一定的情况下，VCE越高，VDS也就越低，器件的导通损耗就越小，这有利于充...

标签：igbt 栅极 电压 范围 15V-20V 之间 。 导通

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pmos多晶硅栅采用什么掺杂？

多晶硅栅极的掺杂通常采用N型掺杂离子，例如磷离子。然而，对于PMOS晶体管，其多晶硅栅极亦采用N型掺杂离子掺杂会造成PMOS晶体管栅极的...

标签：pmos 多晶硅 栅 采用 什么 掺杂 栅极

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什么是栅级驱动IC？

当栅极电容充电且器件刚好可以导通时的最小电压就是阈值电压(VTH)。为将IGBT/功率MOSFET用作开关，应在栅极和源极/发射极引脚之间施加一个...

标签：什么 是 栅级 驱动 当 栅极 电容 充电 且

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mos管栅极电压越高输出电流越大吗？

不是的，mos管的工作模式分为三种，有截止区，线性放大区和饱和区。在放大区的时候，柵极电压越高，求出电流越大。在饱和区的时候，...

标签：mos 管 栅极 电压 越高 输出 电流 越大 吗 不

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