半导体tf工艺就是半导体薄膜制备工艺。

　　薄膜生长是指采用物理或化学方法使物质（原材料）附着于衬底材料表面的过程，根据工作原理不同，薄膜生长的方法有物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）和外延三大类。

　　在微米时代CVD均采用多片式的常压化学气相沉积设备（APCVD），结构比较简单，腔室工作压力约为1atm。但随着晶圆尺寸不断增大、技术节点不断进步，CVD设备也不断改进，其技术先后经历了微米时代的常压化学气相沉积（APCVD）、亚微米时代的低压化学气相沉积（LPCVD）、90纳米时代的等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）。