Vth_gm是用gm法推导出来的，推导时Vds置于线性区Vdlin，通常为0.1V,扫Vgs从截至区到Vgg，得到ID-VG曲线，在此曲线上找到gm最大点，在该点做切线与VGS轴相交，交点VG再减去0.5*Vdlin就是Vth_gm值。具体可参考Narain Arora的MOS器件模型的书，需要从MOS特性的角度推导出ID-VG的关系，就能明白其意义了，特别是最后要减去0.5*Vdlin的原因。

　　Vth_lin是用所谓的固定电流法得来，常用的判据是0.1uA*W/L，Vds置于Vdlin,扫Vgs从0-Vgg，当Ids等于前述判据时即认为Vgs=Vth_lin

　　Vth_sat与前述Vth_lin用同样方法得来，只不过提取时Vds置于饱和电压Vdd。

　　具体的内容请参考Narrain Arora的《用于VLSI模拟的小尺寸MOS器件模型理论与实践》。