芯片制造工艺中的薄膜就是薄膜沉积，可以是半导体可以说金属。

　　薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料，比如绝缘化合物二氧化硅，半导体多晶硅、金属铜等。薄膜沉积是半导体工艺三大核心步骤之一。集成电路薄膜沉积可分为物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和外延。 PVD是指通过热蒸发或者靶表面受到粒子轰击时发生原子溅射等物理过程，多应用于金属的沉积；CVD是指通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、多晶硅以及金属膜层的沉积；外延是一种在硅片表面按照衬底晶向生长单晶薄膜的工艺。

　　芯片制造工艺中的薄膜指的是封装行业。电子封装产业。