1、简单来说的XX nm指的是CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。\n2、详细解释如下，电流从Source(源极)流入Drain(漏级)，Gate(栅极)相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度(栅长)，就是XX nm工艺中的数值。\n3、芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。\n骁龙835用上了更先进的10nm制程， 在集成了超过30亿个晶体管的情况下，体积比骁龙820还要小了35%，整体功耗降低了40%，性能却大涨27%。\n4、得益于摩尔定律的预测，走到今天，比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果A10 Fusion芯片上，用的是台积电16nm的制造工艺，集成了大约33亿个晶体管。\n\n\n\n

　　6nm芯片7nm的意思是芯片的制程工艺水平。其中芯片的制程工艺水平越高，那纳米数就越低，比如6纳米的芯片比7纳米的芯片先进。

　　因为芯片的制程工艺越高，说明在单位面积内集成的晶体管数量就越多，那芯片的计算能力越强，性能也就越强，因为晶体体积变小，所以功耗就越低

　　这是指芯片的大小，芯片越小越先进