内存和存储解决方案领先供应商 Micron Technology， Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）宣布，开始出样业界首款同时搭载低功耗 DDR5 （LPDDR5） DRAM 的通用闪存 （UFS） 多芯片封装 （uMCP） 产品。这款 uMCP 产品为纤薄紧凑的中端智能手机设计提供了高密度、低功耗的存储解决方案。

　　美光的新款 uMCP5 封装采用了公司在多芯片封装方面的创新和前沿技术，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板载控制器，其与双芯片解决方案相比，占用空间减少 40%。这种优化的架构可降低功耗，缩小内存芯片尺寸，支持更小、更灵活的智能手机设计。

　　美光移动产品事业部高级副总裁兼总经理 Raj Talluri 博士表示：“这款业内首创的 uMCP5 封装解决方案衔接了新款 LPDRAM 和 UFS，使内存和存储带宽提高 50%，同时带来更低功耗。该款产品使中端 5G 智能手机能够在超低延迟响应时间和低功耗模式下运行，从而可以支持旗舰智能手机所具备的各种功能，如搭载多枚高分辨率摄像头、多人游戏和 AR / VR 应用。”

　　美光 uMCP5 采用先进的 1y 纳米 DRAM 制程技术和全球最小尺寸的 512Gb 96层 3D NAND 裸片。297 引脚球栅阵列 （BGA） 封装支持双通道 LPDDR5，速度高达 6，400Mbps，性能比上一代接口提升了 50%。这款新型封装还为当今市场上的 uMCP5 提供了最高的存储和内存密度，分别为 256GB 和 12GB。

　　uMCP5 为美光 LPDDR5 DRAM 提供了理想的解决方案。5G 网络将于 2022 年开始在全球进行大规模部署，而美光下一代 LPDDR5 内存可满足其对更高内存性能和更低能耗的需求，同时让 5G 智能手机能以高达 6.4Gbps 的速度处理数据，在解决数据处理瓶颈问题方面会起到至关重要的作用。

　　美光的LPDDR5 uMCP5封装现已能立即出样给特定的合作伙伴。

　　美光本周宣布，其已开始提供业界首个集成了 LPDDR5-6400 动态随机存储器（DRAM）和 96 层 3D NAND 闪存的多芯片封装（MCP）样品。

　　对于需要快速 DRAM 和高性能存储的 5G 中端智能机等产品来说，该公司的 uMCP5 产品可提供上佳的解决方案。

　　【资料图，来自：Micron】

　　据悉，美光 uMCP5 器件打包了双通道的 12GB LPDDR5-6400 运存、以及 256GB 的 UFS 存储（96 层 3D TLC NAND + 板载控制器）。

　　完整的 uMCP5 芯片采用了标准的 297 引脚和 BGA 封装，其中 LPDDR5 芯片采用该公司的第二代 10nm 工艺打造，但美光尚未就 NAND 部分作出评论。

　　随着业界对 LPDDR5 和更高性能的存储器件的需求变得日渐旺盛，智能手机制造商可借助美光 uMCP5 器件，极大地减少对机身空间的占用。

　　此外随着 5G 的普及，移动设备对数据吞吐有着更高的需求，摄像头和屏幕参数亦有望迎来飞速的增长，但这对数据存储和加载也提出了更高的要求。

　　该公司称，其 uMCP5 方案较两块独立的 RAM / ROM 存储芯片减小了 40% 。同时与上一代方案相比，新器件的容量和带宽也增加了 50% 。

　　最后，除了 5G 移动设备，美光 uMCP 方案对于高端 4G / LTE 智能机的意义也同样重大。目前该公司正在向某些合作伙伴提供样品，预计最终产品将很快与大家见面。